丸井 俊治 | 沖電気工業
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概要
関連著者
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星 真一
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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丸井 俊治
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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関 昇平
沖電気工業
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丸井 俊治
沖電気工業
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星 真一
沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
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戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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戸田 典彦
沖電気工業
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伊藤 正紀
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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伊藤 正紀
沖電気工業
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大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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大来 英之
沖電気工業
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佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
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佐野 芳明
沖電気工業
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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見田 充郎
沖電気工業
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玉井 功
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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見田 充郎
沖電気工業株式会社 研究開発本部
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玉井 功
沖電気工業
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森野 芳昭
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
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Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
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海部 勝晶
沖電気工業研究開発本部
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海部 勝晶
沖電気工業株式会社研究開発本部
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海部 勝晶
沖電気工業株式会社
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江川 孝志
名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター
著作論文
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMT
- C-10-13 熱抵抗を最適化したSi基板上GaN-HEMTのRF特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-6 熱伝導率の温度依存を考慮したSi基板上GaN-HEMTの特性評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性
- 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOCVD選択成長による低オーミックコンタクト形成
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)