AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

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概要

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高出力パワーデバイスとして期待されているAlGaN/GaN-HEMTにおいて、そのデバイス表面のSi_3N_4パッシベーション膜は、表面準位を低減させFET動作を安定化させる重要な役割を果たす。一方、パッシベーション膜の応力は、ピエゾ電荷をゲートエッジ付近に発生させFET特性に影響を与える。本稿では、パッシベーション膜の応力に注目し、AlGaN/GaN-HEMT特性への影響を調べた。応力の異なるパッシベ-ション膜をデバイスに堆積したところ、膜応力の増大によって、ゲートリーク電流が増大し、しきい値電圧(v_<th>)がマイナス方向へ大きく変化する現象が観察された。この結果は, パッシベーション膜の応力が、AlGaN/GaN-HEMTを作製する上で重要な検討材料であることを示すものである。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-10-15

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