戸田 典彦 | 沖電気工業株式会社研究開発センタ
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概要
関連著者
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戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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戸田 典彦
沖電気工業
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関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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関 昇平
沖電気工業
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星 真一
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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丸井 俊治
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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丸井 俊治
沖電気工業
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伊藤 正紀
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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伊藤 正紀
沖電気工業
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星 真一
沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
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大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
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佐野 芳明
沖電気工業
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大来 英之
沖電気工業
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見田 充郎
沖電気工業
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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見田 充郎
沖電気工業株式会社 研究開発本部
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江川 孝志
名古屋工業大学
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玉井 功
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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玉井 功
沖電気工業
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森野 芳昭
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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阿部 仁志
沖電気工業(株)
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阿部 仁志
沖電気工業
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海部 勝晶
沖電気工業研究開発本部
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海部 勝晶
沖電気工業株式会社研究開発本部
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海部 勝晶
沖電気工業株式会社
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山田 朋幸
沖電気工業(株)研究開発本部
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江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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川崎 良道
沖電気工業(株)
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江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
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Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
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川崎 良道
沖電気工業
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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荻原 光彦
沖電気工業(株)デバイス技術研究所
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江川 孝志
名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター
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槙田 毅彦
沖電気工業(株)研究開発本部 半導体技術研究所
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槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発本部:超低損失電力素子技術開発研究体
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槙田 毅彦
沖電気工業
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荻原 光彦
沖電気工業
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文 忠民
沖電気工業研究開発本部
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文 忠民
沖電気工業(株)コンポーネント事業部
著作論文
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 超伝導ベーストランジスタ
- In/BRBO/STO(Nb)トランジスタの静特性のベース膜厚依存性(I)
- (Ba,Rb)BiO_3を用いた三端子素子の作製と評価
- In/(Ba,Rb)BiO_3/SrTiO_3(Nb)三端子素子の作製と評価
- 酸化物三端子素子の接合特性の評価と解析(1)
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMT
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性
- 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOCVD選択成長による低オーミックコンタクト形成
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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