In/BRBO/STO(Nb)トランジスタの静特性のベース膜厚依存性(I)
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概要
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我々は、In, (Ba,Rb)BiO_3/SrTiO_3(Nbドープ)トランジスタを作製し、その電気特性のベース膜厚依存性を調べた。(Ba,Rb)BiO_3薄膜は、0.1wt%NbをドープしたSrTiO_3基板上に濃縮オゾンを用いた分子線エピタキシ法で、基板温度370℃で作製した。その膜厚は成膜時間を変えることにより制御した。ベース接地の出力特性から求めた伝達係数(α)はベース膜厚に依存した。伝達係数から見積った特性長は温度に依存しないことから、ベース膜中のキャリアの散乱は不純物散乱と考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-02-16
著者
-
戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
阿部 仁志
沖電気工業(株)
-
阿部 仁志
沖電気工業
-
槙田 毅彦
沖電気工業(株)研究開発本部 半導体技術研究所
-
戸田 典彦
沖電気工業
-
槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発本部:超低損失電力素子技術開発研究体
-
槙田 毅彦
沖電気工業
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