熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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AlGaN/GaN HEMTにおけるAlGaN表面準位に起因した電流コラプスの抑制手段として、熱CVD成長SiN膜を表面保護膜に用いるプロセスを開発した。熱CVD成長SiN膜は一般的にPE-CVD成長SiN膜と比べて水素含有量が少なく高密度であり、成長前に800℃のNH_3ガスによるAlGaN表面クリーニングが可能であることからAlGaN表面の改善に効果があるものと期待される。実験の結果、熱CVD成長SiN膜を用いることによってゲートリーク電流、電流コラプスの抑制効果が確認された。
- 2008-01-09
著者
-
星 真一
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
伊藤 正紀
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
丸井 俊治
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
森野 芳昭
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
玉井 功
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
関 昇平
沖電気工業
-
戸田 典彦
沖電気工業
-
玉井 功
沖電気工業
-
丸井 俊治
沖電気工業
-
佐野 芳明
沖電気工業
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伊藤 正紀
沖電気工業
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大来 英之
沖電気工業
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星 真一
沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
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