高抵抗シリコン基板上低損失コプレーナ線路の構造(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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概要
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半絶縁性化合物基板並みの減衰定数を有する低損失線路の実現を目指し、高抵抗シリコン基板上コプレーナ線路(CPW)を作製し、ミリ波マイクロ波領域における損失を評価した。CPWと高抵抗シリコン基板間に窒化シリコン(SiN)絶縁膜を挿入すると、その減衰定数は1GHz以上で1dB/mmを超えることが判明した。CPWの等価回路の計算によれば、シリコン基板と絶縁膜間に低抵抗層を仮定すると、この大きい損失をよく説明できる。そこでCPW中央の信号線路とその両側の接地導体間の絶縁膜をエッチングにより除去したところ、100GHz以下で損失がほぼ1dB/mm以下である低損失線路が実現できた。この減衰定数は半絶縁性化合物半導体基板上に形成したCPWの減衰定数に匹敵するものである。本構造を採用することにより、マルチチップモジュール向け基板として高抵抗シリコン基板を適用できる。
- 2009-01-07
著者
-
星 真一
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
玉井 功
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
関 昇平
沖電気工業
-
槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
玉井 功
沖電気工業
-
槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
星 真一
沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
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