関 昇平 | 沖電気工業株式会社研究開発センタ
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概要
関連著者
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関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
関 昇平
沖電気工業
-
星 真一
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
星 真一
沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
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伊藤 正紀
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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関 昇平
沖電気工業(株)半導体技術研究所
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伊藤 正紀
沖電気工業
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丸井 俊治
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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戸田 典彦
沖電気工業
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丸井 俊治
沖電気工業
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大来 英之
沖電気工業
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佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
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関 昇平
沖電気工業株式会社 オプティカルコンポーネントカンパニー
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佐野 芳明
沖電気工業
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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見田 充郎
沖電気工業
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木村 有
沖電気工業株式会社 オプティカルコンポーネントカンパニー
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木村 有
沖電気工業(株)
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玉井 功
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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見田 充郎
沖電気工業株式会社 研究開発本部
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角谷 昌紀
沖電気工業株式会社 オプティカルコンポーネントカンパニー
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玉井 功
沖電気工業
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角谷 昌紀
沖電気工業(株)
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森野 芳昭
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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角谷 昌紀
沖電気工業株式会社オプティカルコンポーネントカンパニー
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小川 康徳
沖電気工業株式会社 オプティカルコンポーネントカンパニー
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小川 康徳
沖電気工業(株)
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江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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小杉 真
沖電気工業株式会社 オプティカルコンポーネントカンパニー
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新井 ゆかり
沖電気工業(株)半導体技術研究所
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藤代 博記
沖電気工業(株)半導体技術研究所
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片柳 哲夫
沖電気工業(株)コンポーネント事業部
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市岡 俊彦
沖電気工業(株)研究開発本部
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海部 勝晶
沖電気工業研究開発本部
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江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
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Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
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藤代 博記
沖電気工業(株)デバイスビジネスグループコンポーネント事業部
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小杉 真
沖電気工業株式会社
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新井 ゆかり
沖電気工業(株)デバイスビジネスグループコンポーネント事業部
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海部 勝晶
沖電気工業株式会社研究開発本部
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片柳 哲夫
沖電気工業(株)半導体技術研究所
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海部 勝晶
沖電気工業株式会社
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文 忠民
沖電気工業研究開発本部
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文 忠民
沖電気工業(株)半導体技術研究所
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文 忠民
沖電気工業(株)コンポーネント事業部
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市岡 俊彦
沖電気工業
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山田 浩幸
沖電気工業(株)半導体技術研究所
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山田 浩幸
沖電気工業
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山田 浩幸
沖電気工業(株)
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西野 章
沖電気工業(株) 半導体技術研究所
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西野 章
沖電気工業
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関 昇平
沖電気工業(株)研究開発本部
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根本 正久
沖電気工業(株) オプティカルコンポーネントカンパニー
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根本 正久
沖電気工業
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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西野 章
Okiセミコンダクタ株式会社開発本部光コンポーネントユニット
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江川 孝志
名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター
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関 昇平
沖電気工業株式会社
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寺田 智
沖電気工業(株)通信ネットワーク事業本部
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槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発本部
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寺田 智
沖電気工業
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槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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兼山 文泰
沖電気工業株式会社
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山本 伸介
沖電気工業(株)コンポーネント事業部
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齊藤 正
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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亀掛川 伸孝
沖電気工業株式会社
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吉田 雅昭
沖電気工業株式会社
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四方 誠
沖電気光エレクトロニクス研究所
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池村 国一
沖電気工業株式会社 第2基幹ネットワーク事業部
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濱田 智次
沖電気工業(株)デバイスビジネスグループコンポーネント事業部
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齊藤 正
沖電気工業株式会社化合物半導体事業推進センタ
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根本 正久
Okiセミコンダクタ株式会社開発本部光コンポーネントユニット
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大島 知之
沖電気工業(株)半導体技術研究所
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辻 鼓
沖電気工業(株) 半導体技術研究所
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市岡 俊彦
沖電気(株)半導体技術研究所
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四方 誠
沖電気
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辻 鼓
沖電気工業(株)コンポーネント事業部
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濱田 智次
沖電気工業
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池村 国一
沖電気工業株式会社第2基幹ネットワーク事業部
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市岡 俊彦
沖電気工業株式会社 オプティカルコンポーネントカンパニー
-
大島 知之
沖電気工業株式会社オプティカルコンポーネントカンパニー
-
大島 知之
沖電気工業
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兼山 文泰
沖電気工業(株) ネットワークデバイス開発センタ
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藤代 博記
東京理科大学大学院
著作論文
- C-2-35 2GHz帯200W級高利得GaN-HEMTの開発(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 10Gb/s光通信用低消費電力AGC増幅器IC
- 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- GaAs 40Gb/s光通信用分布増幅器IC
- 40Gb/s光通信用分布型増幅器
- 40Gb/S光通信用分布型増幅器
- 40Gb/S光通信用分布型増幅器
- C-10-17 69GHz広帯域分布型増幅器
- B-10-121 10Gbps D-FF内蔵EA変調器ドライバIC
- SC-2-3 ETC用送信MMICの開発
- ETC用送信部MMIC
- ETC用送信部MMIC
- ETC用送信部MMIC
- 単層アルミナ薄膜基板を用いた1.5GHz帯ディジタル携帯電話用パワーアンプモジュール
- 単層アルミナ薄膜基板を用いた800MHz帯アナログ、ディジタル共用パワーアンプモジュール
- 10Gb/s GaAs DCFL 8:1マルチプレクサ、1:8デマルチプレクサ
- GaAsスタンダードセルの10Gbit/s光通信用LSIへの適用
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMT
- C-10-13 熱抵抗を最適化したSi基板上GaN-HEMTのRF特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 高抵抗シリコン基板上低損失コプレーナ線路の構造(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高抵抗シリコン基板上低損失コプレーナ線路の構造(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 76GHz帯コプレーナ型MMIC高利得増幅器
- 光通信用低雑音、広ダイナミックレンジGaAs前置増幅器IC
- C-10-6 熱伝導率の温度依存を考慮したSi基板上GaN-HEMTの特性評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性
- 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 10Gb/s低消費電力EA変調器ドライバIC
- スタンダードセルLSI内蔵型 256bit GaAs SRAM
- ゲート接地型トランスファゲートを用いた新構造フリップフロップの動作特性の検討
- ゲート接地型トランスファゲートを用いた高速低消費電力D-フリップフロップ
- 2.5GHz GaAs 低消費電力可変遅延回路
- 2.5Gb/s GaAs 8×8 自己ルーティングスイッチ LSI
- MOCVD選択成長による低オーミックコンタクト形成
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高利得高効率電力増幅器用GaN-HEMT技術