C-10-6 熱伝導率の温度依存を考慮したSi基板上GaN-HEMTの特性評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 2008-09-02
著者
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
星 真一
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
伊藤 正紀
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
丸井 俊治
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
関 昇平
沖電気工業
-
江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
-
Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
-
丸井 俊治
沖電気工業
-
伊藤 正紀
沖電気工業
-
大来 英之
沖電気工業
-
星 真一
沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
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