Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の多層膜構造検討による厚膜化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

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概要

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• Si基板上AlGaN/GaN HEMTについて多層膜構造の検討により厚膜化を図った。多層膜構造をAlGaN/GaN,GaN/AlN,AlGaN/AlNとしてウエハーの反り量を測定したところ、反りの大小関係はAlGaN/GaN、GaN/AlN、AlGaN/AlNの順で小さく、多層膜の平均Al組成が高いほど小さいことがわかった。これは、GaNと多層膜の格子定数差に起因した圧縮歪がGaN層に発生したためと考えられる。表面クラックについては多層膜構造をAlGaN/AlNとしたところ、総膜厚が6μm程度までクラックフリーを達成できた。

• 2008-11-20

著者

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 鈴江 隆晃

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 江川 孝志

  Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology

• 鈴木 暢倫

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 野村 幸靖

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• Egawa Takashi

  Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.

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