4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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格子長とバンドギャップの独立制御が可能な四元混晶を障壁層とするInAlGaN/GaN HEMT構造のMOCVD成長および特性評価を実施した。実験の結果、障壁層組成および障壁層結晶品質が電気伝導特性に強く影響することを把握した。最終的に、2inch径サファイア基板上でシートキャリア密度2.3×10^<13>cm^<-2>,移動度1300cm^2V^<-1>s^<-1>,シート抵抗210Ωsq^<-1>、4inch径Si基板上でシートキャリア密度1.8×10^<13>cm^<-2>,移動度1270cm^2V^<-1>s^<-1>,シート抵抗270Ωsq^<-1>と良好な電気伝道特性を持つサンプルを得るに至った。またSi基板上においては、4inch基板全面で良好な面内分布が得られている事も確認した。
- 2009-11-12
著者
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
市村 幹也
日本ガイシ株式会社研究開発本部
-
三好 実人
日本ガイシ株式会社研究開発本部
-
田中 光浩
日本ガイシ株式会社研究開発本部
-
市村 幹也
日本ガイシ(株)
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
江川 孝志
名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
-
田中 光浩
日本ガイシ
-
Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
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