市村 幹也 | 日本ガイシ株式会社研究開発本部

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概要

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• 同名の論文著者
• 日本ガイシ株式会社研究開発本部の論文著者

関連著者

• 市村 幹也

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 市村 幹也

  日本ガイシ(株)

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 三好 実人

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 江川 孝志

  Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• Egawa Takashi

  Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.

• 江川 孝志

  名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター

• 森 勇介

  阪大・院工

• 森 勇介

  大阪大学大学院工学研究科

• 佐々木 孝友

  大阪大学

• 佐々木 孝友

  阪大工

• 佐々木 孝友

  大阪大学大学院 工学研究科

• 今井 克宏

  日本ガイシ(株)

• 川村 史朗

  阪大院工

• 岩井 真

  日本ガイシ(株)

• 下平 孝直

  日本ガイシ(株)

• 東原 周平

  日本ガイシ(株)

• 山崎 史郎

  豊田合成(株)

• 永井 誠二

  豊田合成(株)

• 平田 宏治

  豊田合成(株)

• 川村 史朗

  大阪大学大学院工学研究科

• 川原 実

  大阪大学大学院工学研究科

• 佐々木 孝友

  回路実装学会 大阪大学大学院工学研究科

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著作論文

• 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 01aA06 Naフラックス法によるGaN単結晶基板の評価(半導体バルク(2),第36回結晶成長国内会議)
• 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)

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