江川 孝志 | 名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター
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概要
関連著者
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江川 孝志
名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター
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Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
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江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
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Egawa T
Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University
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Egawa Takashi
Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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久保 俊晴
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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岩田 康宏
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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岩田 康宏
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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久保 俊晴
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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分島 彰男
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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分島 彰男
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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分島 彰男
名古屋工業大学
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酒井 佑輔
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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セルバラージ ローレンス
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
セルバラージ ローレンス
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
-
成田 知隆
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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成田 知隆
名古屋工業大学
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分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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永井 一弘
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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渡邉 新
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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市川 淳規
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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渡邉 新
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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永井 一弘
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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常家 卓也
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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市村 幹也
日本ガイシ株式会社研究開発本部
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三好 実人
日本ガイシ株式会社研究開発本部
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田中 光浩
日本ガイシ株式会社研究開発本部
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鈴江 隆晃
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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星 真一
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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伊藤 正紀
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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丸井 俊治
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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森野 芳昭
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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玉井 功
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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市村 幹也
日本ガイシ(株)
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Miyoshi Makoto
Corporate R&d Ngk Insulators Ltd.
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EGAWA Takashi
Research center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology
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MIYOSHI Makoto
NGK INSULATORS, LTD.
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SUMIYA Shigeaki
NGK INSULATORS, LTD.
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ICHIMURA Mikiya
NGK INSULATORS, LTD.
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SUGIYAMA Tomohiko
NGK INSULATORS, LTD.
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MAEHARA Sota
NGK INSULATORS, LTD.
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TANAKA Mitsuhiro
NGK INSULATORS, LTD.
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関 昇平
沖電気工業
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田中 光浩
日本ガイシ
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Maehara Sota
Ngk Insulators Ltd.
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Ichimura Mikiya
Ngk Insulators Ltd.
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戸田 典彦
沖電気工業
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Sumiya Shigeaki
Ngk Insulators Ltd.
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Tanaka Mitsuhiro
Ngk Insulators Ltd.
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Sugiyama Tomohiko
Ngk Insulators Ltd.
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玉井 功
沖電気工業
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丸井 俊治
沖電気工業
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伊藤 正紀
沖電気工業
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大来 英之
沖電気工業
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Miyoshi Makoto
Ngk Insulators Ltd
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Egawa Takashi
Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology
-
星 真一
沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
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深澤 義道
新日本無線株式会社研究所
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伏見 浩
新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター
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脇 英司
新日本無線株式会社
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伏見 浩
新日本無線(株)
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伏見 浩
新日本無線株式会社
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Egawa Takashi
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
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Miyoshi Makoto
Ngk Insulators Ltd.
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深澤 義道
新日本無線株式会社技術開発本部
-
深澤 義道
新日本無線株式会社
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Tanaka Mitsuhiro
Corporate R&d Ngk Insulators Ltd.
-
伏見 浩
新日本無線株式会社 技術開発本部
著作論文
- 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- InAlN/GaN HEMT Structures on 4-in Silicon Grown by MOCVD(Session 6B : Wide Bandgap Materials and Devices, Power Devices)
- InAlN/GaN HEMT Structures on 4-in Silicon Grown by MOCVD(Session 6B : Wide Bandgap Materials and Devices, Power Devices)
- 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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- DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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- DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子 (電子部品・材料)
- AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子 (電子デバイス)
- Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECRスパッタSiNの膜質がSiN/AlGaN/GaN MIS-HFET特性に与える影響
- Si基板上AlGaN/GaNヘテロ構造に関する研究
- 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- CT-2-4 Si基板上GaN結晶成長(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- Si基板上へのGaN単結晶の成長とデバイス応用
- Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- GaN上にALD成膜したAl?O?を用いたMISダイオードの電気的特性 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価
- 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ
- GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価
- Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- GaN上にALD成膜したAl_2O_3を用いたMISダイオードの電気的特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- GaN上にALD成膜したAl_2O_3を用いたMISダイオードの電気的特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- GaN上にALD成膜したAl_2O_3を用いたMISダイオードの電気的特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)