Egawa Takashi | Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University

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概要

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著作論文

Neuroprotective Effects of Quercetin and Rutin on Spatial Memory Impairment in an 8-Arm Radial Maze Task and Neuronal Death Induced by Repeated Cerebral Ischemia in Rats
Effect of Nilvadipine on the Cerebral Ischemia-Induced Impairment of Spatial Memory and Hippocampal Apoptosis in Rats
Room-Temperature CW Operation of AlGaAs/GaAs SQW Lasers on Si Substrates by MOCVD Using AlGaAs/AlGaP Intermediate Layers
The Scopolamine-Induced Impairment of Spatial Cognition Parallels the Acetylcholine Release in the Ventral Hippocampus in Rats
Rolipram and Its Optical Isomers, Phosphodiesterase 4 Inhibitors, Attenuated the Scopolamine-Induced Impairments of Learning and Memory in Rats
Forced Exercise-Induced Flushing of Tail Skin in Ovariectomized Mice, as a New Experimental Model of Menopausal Hot Flushes
AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
New Technique to Fabricate Stress-Relieved Reliable Lasers on Si Substrates
Effects of Dislocation and Stress on Characteristics of GaAs-Based Laser Grown on Si by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Selective-Area-Grown AlGaAs/GaAs Single Quantum Well Lasers on Si Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
ECRスパッタSiNの膜質がSiN/AlGaN/GaN MIS-HFET特性に与える影響
Neither the 5-HT_ - nor the 5-HT_2 - Receptor Subtype Mediates the Effect of Fluvoxamine, a Selective Serotonin Reuptake Inhibitor, on Forced - Swimming - Induced Immobility in Mice
5-HT_ - Receptor Subtype Mediates the Effect of Fluvoxamine, a Selective Serotonin Reuptake Inhibitor, on Marble - Burying Behavior in Mice
Improvement of GaAs Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors Characteristics on SiO_2 Back-Coated Si Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Si基板上AlGaN/GaNヘテロ構造に関する研究
First Demonstration of Al_xGa_As/Si Monolithic Tandem Solar Cells Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
CT-2-4 Si基板上GaN結晶成長(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
Si基板上へのGaN単結晶の成長とデバイス応用
GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価
透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ
GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価
Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
GaN上にALD成膜したAl_2O_3を用いたMISダイオードの電気的特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
GaN上にALD成膜したAl_2O_3を用いたMISダイオードの電気的特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
GaN上にALD成膜したAl_2O_3を用いたMISダイオードの電気的特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

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