GaN上にALD成膜したAl_2O_3を用いたMISダイオードの電気的特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

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概要

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• MIS構造に用いる絶縁体としてAl_2O_3に着目し、GaN上にALDで成膜したAl_2O_3を用いたMISダイオードを作製して特性評価を行った。成膜温度は200℃、250℃、300℃とし、酸素プリカーサーとして水またはオゾン、あるいは両方を用いた。水よりもオゾンを用いて300℃で成膜した場合にリーク電流および閾値電圧シフトが低減された。さらに、水やオゾンのみを用いた場合よりも、両方を交互に用いて成膜した場合の方が、Al_2O_3中の固定電荷の低減が見られた。

• 2012-11-22

著者

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 江川 孝志

  名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター

• Egawa Takashi

  Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.

• Egawa Takashi

  Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University

• 久保 俊晴

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 岩田 康宏

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 岩田 康宏

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 久保 俊晴

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

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