Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性

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概要

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• 2010-05-06

著者

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• セルバラージ ローレンス

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 永井 一弘

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

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