CS-9-4 リセスゲート構造を有するLT-GaN/AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)

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概要

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• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2008-03-05

著者

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 寺田 豊

  名古屋工業大学

• 出口 忠義

  新日本無線株式会社研究所

• 中川 敦

  新日本無線株式会社研究所

• 中川 敦

  新日本無線株式会社

• 出口 忠義

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 安達 龍彦

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 中川 敦

  新日本無線

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 中川 敦

  新日本無線株式会社 研究所

• 江川 孝志

  Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology

• Egawa Takashi

  Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.

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