低温成長GaNキャップ層エッジターミネーションを用いたシリコン基板上の高耐圧AlGaN/GaNショットキーバリアダイオード(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
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概要
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AlGaN/GaN Schottky barrier diodes (SBDs) using a low-temperature-(LT-) GaN cap layer to provide edge termination, thus increasing the breakdown voltage and suppressing current collapse, were developed and fabricated on cost-effective, 100-mm-diameter Si (111) substrates. The SBDs fabricated with the LT-GaN/AlGaN/GaN heterostructure had a reverse leakage current three orders lower than that of conventional AlGaN/GaN SBDs and a high breakdown voltage of 1530V. The effect of the LT-GaN cap layer on current collapse in the fabricated SBDs was also studied. Even under a pulse-mode bias stress of -200V, no significant current collapse was observed.
- 2008-10-16
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