リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(<特集>ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
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概要
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AlGaN/GaNヘテロ構造を用いるAlGaN/GaN-HEMTは,高速動作の2次元電子の特性と,ワイドギャップの材料特性から,高周波,大電力性能が期待され,マイクロ波からミリ波帯に至る無線通信システムなどの次世代キーデバイスとして期待されている.開発したリセスゲートAlGaN/GaN-HEMTはソース抵抗を低減できる,安定動作が期待できるなどの特徴をもっている.サファイア基板上に作成した0.5μmゲート長のHEMTにおいて,DC特性はキンク効果や電流コラプスもなく,相互コンダクタンス(gm)が327mS/mmであった.また,AlGaN/GaNヘテロ構造における,AlGaN中のAl組成比の検討,及び,リセスゲート形成時のドライエッチング法による,表面ダメージの検討を行った.ゲート電極の断面がT型で,ゲート長が0.15μmのHEMTを試作したところ,最大のgmが450mS/mmという極めて良好な特性を示したとともに,遮断周波数(f_T)が60GHzであった.また,高ドレーン電圧に対する安定動作を検討し,リセスゲート構造が高信頼動作に有効であることを見出した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-01
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
見田 充郎
沖電気工業
-
見田 充郎
沖電気工業株式会社 研究開発本部
-
神保 孝志
三重大学電気電子工学科
-
佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
山田 朋幸
沖電気工業(株)研究開発本部
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
鷺森 友彦
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
海部 勝晶
沖電気工業研究開発本部
-
槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
佐野 芳明
沖電気工業
-
槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発本部:超低損失電力素子技術開発研究体
-
槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
大来 英之
沖電気工業
-
海部 勝晶
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
Jimbo T
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
-
海部 勝晶
沖電気工業株式会社
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