100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

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概要

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• 100mm径エピタキシャルAIN/サファイア上へのAl_<0.26>Ga_<0.74>N/AIN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を行った.作製したエピ膜の2次元電子ガス(2DEG)特性を評価したところ, 室温および15Kにおいて各々2100cm^2/Vs以上, 25000cm^2/Vs以上(2DEG濃度 : 約1×10^<13>/cm^2)という極めて高いHall移動度を有する事が確認された.これは, AINスペーサ層の挿入による合金散乱の抑制, ならびにエピタキシャルAIN膜を下地層としたことによるエピ膜の高品質化によるものと考えられた.リセスオーミック構造を有するゲート長1.5μmのHEMTを試作しそのDC特性を評価したところ, 最大相互コンダクタンス約220mS/mm, 最大ドレイン電流密度1A/mm以上(閾値電圧約-4.08V)という高い値が得られた.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-01-11

著者

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 三好 実人

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 浅井 圭一郎

  日本ガイシ(株)

• 柴田 智彦

  日本ガイシ

• 三好 実人

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 今西 敦

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 小田 修

  日本ガイシ株式会社

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• 柴田 智彦

  日本ガイシ株式会社

• 浅井 圭一郎

  日本ガイシ株式会社

• 今西 敦

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 小田 修

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