柴田 智彦 | 日本ガイシ

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概要

• 同名の論文著者
• 日本ガイシの論文著者

関連著者

• 柴田 智彦

  日本ガイシ

• 柴田 智彦

  日本ガイシ株式会社

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• 平松 和政

  三重大 工

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

• 劉 玉懐

  三重大学工学部電気電子工学科

• 石賀 章

  三重大学工学部電気電子工学科

• 大西 孝

  三重大学工学部電気電子工学科

• 小田 修

  日本ガイシ株式会社

• 小田 修

  日本ガイシ(株)

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 坂井 正宏

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター : 日本ガイシ株式会社

• 桑野 範之

  九州大学産学連携センター

• 神保 孝志

  名古屋工業大学

• 原口 雅也

  九州大学総合理工学府

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 坪内 和夫

  東北大学電気通信研究所

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• 吉田 明

  豊橋技科大

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 浅井 圭一郎

  日本ガイシ(株)

• 今井 恒

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 藤盛 敬雄

  豊橋技術科学大学

• 坂井 正宏

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• アルルクマラン サブラマニアム

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 益 一哉

  東北大学電気通信研究所

• 直井 弘之

  三重大学SVBL

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 勝野 琢弥

  三重大学工学部電気電子工学科

• 黎 大兵

  三重大学SVBL

• 増田 規宏

  三重大学工学部電気電子工学科

• 劉 玉懐

  三重大学SVBL

• 今井 恒

  豊橋技術科学大学

• 木田 喜啓

  三重大学工学部

• 浅野 健太

  名古屋工業大学 極微構造デバイス研究センター

• 柴田 智彦

  三重大学工学部電気電子工学科

• 坂井 正宏

  日本ガイシ株式会社

• 柴田 智彦

  東北大学電気通信研究所

• Arullkumaran Subramaniam

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 浅井 圭一郎

  日本ガイシ株式会社

• 浅野 健太

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学工学部

• 三好 実人

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 中瀬 博之

  東北大学電気通信研究所

• 三宅 秀人

  三重大工

• 桑野 範之

  九州大学

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 吉田 明

  神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム

• 平松 和政

  三重大工

• 三好 実人

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 今西 敦

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• ARULKUMARAN Subramaniam

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 三宅 秀人

  三重大学 工学部

• 平松 和政

  三重大学 工学部

• 葛西 徹

  東北大学電気通信研究所

• 中村 幸則

  東北大学電気通信研究所

• 今西 敦

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学

• 平松 和政

  三重大学 大学院工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学 大学院工学研究科

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 亀田 卓

  東北大学電気通信研究所

• 福井 一俊

  福井大学遠赤外領域開発センター

• 平山 秀樹

  理研

• 中瀬 博之

  東北大学

• 福井 一俊

  福井大fir

• 亀田 卓

  東北大学 電気通信研究所

• 勝川 裕幸

  日本ガイシ株式会社

• 直江 俊一

  金沢大工

• 平山 秀樹

  (独)理化学研究所

• 平松 和政

  三重大・工

• 藤盛 敏雄

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 山崎 剛

  東北大学 電気通信研究所

• 三宅 秀人

  三重大・工

• 金 成權

  東北大学電気通信研究所

• 石賀 章

  三重大・工

• Liu Y.

  SVBL

• 柴田 智彦

  三重大・工

• 岡田 国也

  福井大工

• 浜浦 聡志

  福井大工

• 木村 浩司

  福井大工

• 柴田 智彦

  三重大工

• 角谷 茂明

  日本ガイシ

• 毛利 充宏

  日本ガイシ

• 古田 明

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 三宅 秀人

  三重大学電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学電気電子工学科

• 上原 健誠

  東北大

• 青田 雄嗣

  東北大

• 高山 大輔

  東北大学電気通信研究所

• 山崎 剛

  東北大学電気通信研究所

• 高山 大輔

  東北大学 電気通信研究所

• 坪内 和夫

  東北大 通研

• 勝川 裕幸

  日本ガイシ

• 平山 秀樹

  (独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム

• 亀田 卓

  東北大学

• 坪内 和夫

  東北大

• 亀田 卓

  東北大

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著作論文

• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 26aB02 凹凸AlNエピタキシャル基板を用いた高Alモル分率AlGaNの転位密度低減(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)
• 28pXQ-10 AlGaNおよびInAlGaN系における紫外発光(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• MOVPE法により成長した高品質AlNエピタキシャル膜(AlN結晶成長シンポジウム)
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• SC-6-3 MOCVD法を用いたエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価
• MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
• D-2 原子層レベル超平坦化AlN/サファイア構造SAW特性(バルク波・表面波デバイス)
• 2.4GHzフロントエンドAIN/Al_2O_3 SAWコリレータ
• フロントエンドSAWコリレータを用いた2.4GHz SS無線モデム
• 2.4GHz DS/SS用AlN/Al_2O_3構造SAWコリレータ

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