益 一哉 | 東北大学電気通信研究所
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概要
関連著者
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坪内 和夫
東北大学電気通信研究所
-
益 一哉
東北大学電気通信研究所
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中瀬 博之
東北大学電気通信研究所
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横山 道央
山形大学大学院理工学研究科 応用生命システム工学専攻
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横山 道央
東北大学電気通信研究所
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亀田 卓
東北大学電気通信研究所
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松橋 秀樹
東北大学電気通信研究所
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久保田 耕司
東北大学電気通信研究所
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車 載祥
東北大学電気通信研究所
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末広 直樹
筑波大学
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小石 高裕
東北大学電気通信研究所
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高橋 康一
東北大学電気通信研究所
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苫米地 秀一
東北大学電気通信研究所
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李 昌勲
東北大学電気通信研究所
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須永 輝己
(株)YRP移動通信基盤技術研究所
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柴田 智彦
日本ガイシ
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斎藤 哲也
東北大学電気通信研究所
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森本 明大
東北大学電気通信研究所
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末広 直樹
筑波大学物理工学系
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柴田 智彦
東北大学電気通信研究所
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藤本 慎二
東北大学電気通信研究所
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須永 輝己
Yrp移動通信基盤技術研究所
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三枝 茂人
東北大学電気通信研究所
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都倉 健治
東北大学電気通信研究所
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立花 良一
東北大学電気通信研究所
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田嶋 陵
東北大学電気通信研究所
-
後藤 晶央
東北大学電気通信研究所
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末広 直樹
筑波大学機能工学系
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葛西 徹
東北大学電気通信研究所
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西村 隆正
東北大学電気通信研究所
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鎌田 武遠
東北大学電気通信研究所
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中村 幸則
東北大学電気通信研究所
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藤本 有毅
株式会社エス技術研究所
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和田 一彦
シャープ株式会社
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藤田 康仁
東北大学 電気通信研究所
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藤田 康仁
東北大学電気通信研究所
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坪内 和夫
東北大学 電気通信研究所
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堀池 靖浩
物質･材料研究機構
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山崎 剛
東北大学 電気通信研究所
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一木 隆範
東洋大学・工
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塩原 健一
東北大学電気通信研究所
-
塩原 健一
東北大学 電気通信研究所
-
横山 道央
東北大学 電気通信研究所
-
益 一哉
東北大学 電気通信研究所
-
藤本 敦
東北大学電気通信研究所
-
堀池 靖浩
東京大学大学院工学系研究科
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鄭 周赫
東北大学電気通信研究所
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高山 大輔
東北大学電気通信研究所
-
山崎 剛
東北大学電気通信研究所
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菊池 俊秋
東洋大学工学部電気電子工学科
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一木 隆範
東洋大学工学部電気電子工学科
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小室 敦
東北大学電気通信研究所
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和田 一彦
東北大学電気通信研究所
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山岸 幸義
東洋大学工学部
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Horiike Yasuhiro
Faculty Of Engineering Toyo University
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Horiike Yasuhiro
National Institute For Materials Science
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Horiike Yasuhiro
Toshiba Vlsi Research Center
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Horiike Yasuhiro
Research Center For Integrated Systems Hiroshima University:(present Address)department Of Electrica
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Horiike Yasuhiro
Faculty Of Engineering Hiroshima University
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Horiike Yasuhiro
Department Of Electrical Engineering Hiroshima University
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Horiike Yasuhiro
Department Of Electrical Engineering Toyo University
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一木 隆範
東洋大学工学部:科技団戦略的創造研究事業presto
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高山 大輔
東北大学 電気通信研究所
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吉村 浩一
東北大学電気通信研究所
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堀池 靖浩
広島大工
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元吉 克幸
東北大学電気通信研究所
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小林 秀夫
東北大学電気通信研究所
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日高 鉄也
東北大学電気通信研究所
-
鷺谷 剛
東北大学電気通信研究所
-
堀池 靖浩
東京大学大学院工学研究科
著作論文
- CDMA用Si-CMOS B級プッシュプル電力増幅器の高効率化
- A-5-8 2相の直交系列を用いた近似同期SS/CDMAシステムの検討
- C-2-26 CDMA用Si-CMOS B級プッシュプル電力増幅器
- FSAM-MOSFETを用いた高周波パワーアンプ
- 無線検針システム向け通信プロトコルLSIの開発
- FSAM-MOSFETにおける寄生抵抗低減効果
- 選択AI CVD技術を用いた完全自己整合メタライゼーションMOSFET
- Al CVD技術による完全自己整合メタライゼーション
- 選択CVD法によるSi基板上へのナノ構造形成
- チャネル間干渉のない近似同期CDMA用符号 : キャリア周波数偏差の影響に関する考察
- A-5-10 完全相補系列を用いた近似同期CDMAシステムの設計
- A-5-9 チャネル間干渉のない近似同期CDMA用符号 : 擬周期系列設計法の一考察
- SAWコンボルバを用いた2.4GHz帯SSモデムの音声&データ通信への応用
- A-11-8 微傾斜基板上に成膜したAIN/Al_2O_3構造SAWデバイス特性
- A-11-22 クヌーセン圧MOCVDによるAINエピタキシャル成長
- Direct Liquid Injection Systemを用いたAl-CVD堆積速度の向上
- 完全自己整合メタライゼーションMOSFETにおけるバリア層の自己整合形成
- Al CVDにおけるアルミ有機金属ソースガスの比較
- 2.4GHzフロントエンドAIN/Al_2O_3 SAWコリレータ
- フロントエンドSAWコリレータを用いた2.4GHz SS無線モデム
- 2.4GHz DS/SS用AlN/Al_2O_3構造SAWコリレータ
- チャンネル間干渉のない近似同期CDMA用符号 : 良好な相関特性を有する系列を用いたセル構成の検討
- チャネル間干渉のない近似同期CDMA用符号 : 擬周期化符号を用いたCDMAシステムの検討
- チャネル間干渉のない近似同期CDMA用符号 : 擬周期化符号を用いたCDMAシステムの検討
- Siプロセスを用いた高速・低消費電力Current-Cut Switched Current Matched Filter (CC-SIMF):回路設計と試作
- Siプロセスを用いた高速・低消費電力Current-Cut Switched Current Matched Filter (CC-SIMF) : 回路設計と試作
- Siプロセスを用いた高速・低消費電力Current-Cut Switched Current Matched Filter (CC-SIMF):回路設計と試作
- A-11-20 SiO_2膜を用いた2.4GHz AlN/α-Al_2O_3構造SAWデバイス温度特性補償
- 2.4GHzフロントエンドAlN/α-Al_2O_3 SAWマッチトフィルタ
- 選択Al CVD技術におけるClF_3クリーニング
- SAWコンボルバを用いたDS/SS無線モデムのテレライティングへの応用
- Siプロセスを用いた高速, 低消費電力Matched Filterの検討 : Switched Current Matched Filter (SIMF)
- Siプロセスを用いた高速, 低消費電力Matched Filterの検討 : Switched Current Matched Filter (SIMF)
- 2.4GHz帯フロントエンドSAWマッチトフィルタを用いたパケットSS-CDMA方式
- IMT-2000同期用電流モードアナログマッチトフィルタ
- A-5-6 DS-CDMA移動端末用低消費電力SIマッチトフィルタ(II) : 並列相関型SIMFの試作と評価
- A-5-5 DS-CDMA移動端末用低消費電力SIマッチトフィルタ(I) : 部分相関型SIMFの提案
- A-5-4 低消費電力2.4GHz SS無線スイッチ
- SAWコンボルバを用いたDS/SS非同期無線モデムのリモートコントロールへの応用
- E_b/N_o-BER特性によるLSI動作評価 ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- 77K動作/温度寸法合成スケーリングMOSFET