横山 道央 | 東北大学電気通信研究所

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概要

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• 東北大学電気通信研究所の論文著者

関連著者

• 坪内 和夫

  東北大学電気通信研究所

• 横山 道央

  山形大学大学院理工学研究科 応用生命システム工学専攻

• 横山 道央

  東北大学電気通信研究所

• 益 一哉

  東北大学電気通信研究所

• 立花 良一

  東北大学電気通信研究所

• 斎藤 哲也

  東北大学電気通信研究所

• 森本 明大

  東北大学電気通信研究所

• 松橋 秀樹

  東北大学電気通信研究所

• 田嶋 陵

  東北大学電気通信研究所

• 亀田 卓

  東北大学電気通信研究所

• 中瀬 博之

  東北大学電気通信研究所

• 高橋 康一

  東北大学電気通信研究所

• 坪内 和夫

  東北大学 電気通信研究所

• 車 載祥

  東北大学電気通信研究所

• 塩原 健一

  東北大学電気通信研究所

• 塩原 健一

  東北大学 電気通信研究所

• 横山 道央

  東北大学 電気通信研究所

• 益 一哉

  東北大学 電気通信研究所

• 後藤 晶央

  東北大学電気通信研究所

• 日高 鉄也

  東北大学電気通信研究所

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著作論文

• GHz帯通信用シリコンRF-CMOSパワーアンプの高効率化
• GHz帯携帯電話用シリコンRF-CMOSパワーアンプの高効率化
• C-2-8 CDMA用Si-CMOSB級プッシュプル電力増幅器の高効率化(II)
• CDMA用Si-CMOS B級プッシュプル電力増幅器の高効率化
• A-5-8 2相の直交系列を用いた近似同期SS/CDMAシステムの検討
• C-2-26 CDMA用Si-CMOS B級プッシュプル電力増幅器
• FSAM-MOSFETを用いた高周波パワーアンプ
• 無線検針システム向け通信プロトコルLSIの開発
• FSAM-MOSFETにおける寄生抵抗低減効果
• 選択AI CVD技術を用いた完全自己整合メタライゼーションMOSFET
• Al CVD技術による完全自己整合メタライゼーション
• 選択CVD法によるSi基板上へのナノ構造形成
• 77K動作/温度寸法合成スケーリングMOSFET

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