FSAM-MOSFETにおける寄生抵抗低減効果
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概要
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MOSFETの微細化と共に、素子の寄生抵抗の増大が高速化を阻害する要因となってきており、特にゲート巾の大きいロジック・アナログ応用の場合に素子の寄生抵抗を低減する必要がある。我々は、開発してきた選択Al-CVD技術を用いて積極的に素子の寄生抵抗を低減するFSAM(Fully-Self-Aligned-Metalization) -MOS FETを提案している。本論文では、シミュレーションを用いた素子の寄生抵抗Static解析、及び寄生抵抗の動作速度への影響をDynamic解析により評価を行った。電流駆動能力の要求される、ゲート巾の大きいロジック・アナログ応用素子に対して、従来のサリサイドデバイスに比較しFSAMデバイスの寄生抵抗低減効果が大きい事を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-26
著者
-
坪内 和夫
東北大学電気通信研究所
-
横山 道央
山形大学大学院理工学研究科 応用生命システム工学専攻
-
横山 道央
東北大学電気通信研究所
-
益 一哉
東北大学電気通信研究所
-
田嶋 陵
東北大学電気通信研究所
-
松橋 秀樹
東北大学電気通信研究所
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