GHz帯携帯電話用シリコンRF-CMOSパワーアンプの高効率化
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概要
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素子寸法の微細化がサブ0.1μmの領域に達しているシリコンMOSデバイスにおいて、単なる微細化高性能化だけを追求するのではなく、明確なアプリケーションを定め、そのスペックに特化したデバイス・回路設計によるシステムオンチップを目指している。近年、携帯電話の爆発的普及とともに、従来はGaAs素子の領域であったGHz帯回路ブロックを徐々にシリコン素子で置き換えようとする「RF-CMOS」の研究開発が盛んになっている。この事は、デジタルCMOS部とあわせた情報通信端末用シリコンシステムオンチップの実現に繋がる。本研究では、特にバッテリー駆動による長寿命化に効果的な送信パワーアンプ部の低消費電力化について、従来GaAs素子では困難なn/pチャネル相補型プッシュプル構成とする事で高効率化を図るシリコンCMOS B級プッシュプルアンプについて研究している。本報告では、0.8μmデバイスを用いて900MHz帯デジタル携帯電話規格を満たすパワーアンプの高効率化について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-13
著者
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