選択AI CVD技術を用いた完全自己整合メタライゼーションMOSFET
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概要
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極微細高速MOSFETにおいて、素子の寄生抵抗の低減は必須である。我々は、これまでにDMAHとH_2を用いた選択AI CVD技術を開発しており、この技術を積極的に応用した高速MOSFET構造として"完全自己整合メタライゼーション(F__-ully S__-elf-A__-ligned M__-etalization [FSAM] MOSFET)"を提案している。この特徴は、(1)低コンタクト抵抗TiSi_2形成、(2)自己整合バリア形成、及び(3)選択CVD-AIによる低シート抵抗層形成、を自己整合的に行うプロセスである。今回、自己整合バリア形成法として、新たにN_2plasma処理によるTiSi_2表面の低温窒化技術を導入し、窒化の確認、その後のAIの選択成長、バリア性の有無について検討を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-15
著者
-
坪内 和夫
東北大学電気通信研究所
-
横山 道央
山形大学大学院理工学研究科 応用生命システム工学専攻
-
横山 道央
東北大学電気通信研究所
-
益 一哉
東北大学電気通信研究所
-
田嶋 陵
東北大学電気通信研究所
-
松橋 秀樹
東北大学電気通信研究所
-
後藤 晶央
東北大学電気通信研究所
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