E_b/N_o-BER特性によるLSI動作評価 (<特集> アナログ・アナデジLSIおよび一般)
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概要
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CMOS回路の低消費電力化のためには電源電圧の低減がもっとも有効な手段であるが、その下限値についての議論はほとんど行われていない。本研究では、電源電圧を低減していくと起こりうるLSIの誤りという観点から通信分野で一般に用いられるE_b/N_o vs BER曲線の概念をLSIの分野に導入し、電源電圧の下限値を評価した。まず、CMOS回路について、そのE_b/N_o vs BER曲線を実測し、理論曲線と一致することを確かめた。次に、低消費電力化の指針としてこのE_b/N_o vs BER曲線を用いることにより、必要最小限の電源電圧V_DDを求める方法を提案し、今後ゲート長が小さくなっていった場合の電源電圧の下限値について考察した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-27
著者
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