選択Al CVD技術におけるClF_3クリーニング
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概要
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DMAH[(CH_3)_2AlH]とH_2を用いたAl CVD技術では導電性基板表面に選択的にAlが堆積する。微細化に伴うAl配線の信頼性確保の観点からバリアメタルのTiN上に平坦なAl膜をCVD法で堆積する技術は重要である。Alの堆積は導電性基板表面での表面化学反応を主とするため、非導電性であるTiN上の酸化膜はAlの堆積を阻害する。Al膜堆積のTiN表面前処理としてプラズマレスClF_3クリーニングの検討を行った。ClF_3クリーニングでTiN表面の酸化膜を除去後、TiN上に堆積したAl膜の表面の鏡面反射率は90%以上である。Al膜の表面モルフォロジは劇的に改善された。さらに、直径0.5μmのコンタクトホールに形成されたTiN上に良好なステップカバレッジで、Al膜が形成する。ClF_3クリーニング後のTiN表面の残留塩素の濃度はXPSの分解能以下であり、堆積したAl膜のコロージョン発生はない。以上のことから、ClF_3クリーニングは選択Al CVDのバリアメタル(TiN)上の表面処理技術として有効である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-08-16
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