若原 昭浩 | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学の論文著者

関連著者

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学工学部

• 吉田 明

  豊橋技科大

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学

• 吉田 明

  神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 米津 宏雄

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 米津 宏雄

  Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology

• 米澤 宏雄

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学 工学部

• 大島 武

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部

• 伊藤 久義

  原研

• 大島 武

  原研

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学

• 梅野 和行

  豊橋技術科学大学

• 藤田 尚樹

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 李 海錫

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 李 海錫

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 藤田 尚樹

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 伊藤 久義

  原子力機構

• 中西 康夫

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 伊藤 幹記

  豊橋技術科学大学

• 畠中 奨

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 中西 康夫

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• Ishida M

  Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn

• 松田 豊稔

  熊本高専

• 中村 隆

  釧路工業高等専門学校

• 大津 道歳

  熊本大学

• 藤盛 敬雄

  豊橋技術科学大学

• 奥野 洋一

  熊本大学大学院自然科学研究科

• 周山 大慶

  熊本大学大学院自然科学研究科

• 山根 啓輔

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 田中 徹

  豊橋技術科学大学 工学部

• 松田 豊稔

  熊本電波工業高等専門学校

• 中村 隆

  釧路工高専

• 田中 徹

  (株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所

• 廣江 吉倫

  豊橋技術科学大学

• 光吉 三郎

  豊橋技術科学大学

• 浦上 法之

  豊橋技術科学大学

• 奥野 洋一

  熊本大学

• 周山 大慶

  熊本大学

• 佐藤 真一郎

  日本原子力研究開発機構

• 今井 恒

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 田中 誠造

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 野口 健太

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 出口 裕輝

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 近藤 正樹

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 秦 貴幸

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 河野 達矢

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 今井 恒

  豊橋技術科学大学

• 佐藤 淳

  豊橋技術科学大学 工学部

• 島田 英里

  豊橋技術科学大学 工学部

• 箕原 大介

  豊橋技術科学大学 工学部

• 文 秀榮

  豊橋技術科学大学

• 金 聖晩

  豊橋技術科学大学

• 太田 成人

  豊橋技術科学大学

• 森崎 祐二

  豊橋技術科学大学

• 石地 正義

  豊橋技術科学大学

• 園田 潤

  仙台電波工業高等専門学校電子工学科

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 滝川 浩史

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 大西 正人

  豊橋技術科学大学

• 大嶋 武

  原研高崎

• 井上 勉

  豊橋技術科学大学

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所・高崎

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所

• 細川 修

  豊橋技術科学大学

• 早川 崇則

  豊橋技術科学大学

• 吉越 章隆

  豊橋技術科学大学

• 伊藤 真也

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 重久 慶

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 三崎 貴生

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 津間 博基

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 小林 貴行

  豊橋技術科学大学

• 藤村 洋平

  豊橋技術科学大学

• 夏目 諭

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 柴田 智彦

  日本ガイシ

• 海野 啓明

  仙台高等専門学校情報システム工学科

• 滝川 浩史

  豊橋技術科学大学

• 内田 実

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 李 昌勇

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 松野 文弥

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 橋元 芳昇

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 山本 鉄隆

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 藤村 洋平

  双葉電子工業

• 山口 利幸

  和歌山高専

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• 北村 泰弘

  豊橋技術科学大学工学部

• 山口 利幸

  和歌山工業高等専門学校電気工学科

• 柴田 智彦

  日本ガイシ株式会社

• 嶋田 香志

  豊橋技術科学大学

• 野間 亮佑

  豊橋技術科学大学

• 泉 佳太

  豊橋技術科学大学工学部

• 河合 洋明

  豊橋技術科学大学工学部

• 下條 貴史

  豊橋技術科学大学工学部

• 斎木 久雄

  (株)三陽電機製作所

• 玄番 潤

  豊橋技術科学大学

• 内海 一肇

  豊橋技術科学大学

• Ishida M

  Institute Of Applied Physics Crest Japan Science And Technology Corporation University Of Tsukuba

• 山本 鉄隆

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 松本 鋭介

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 伊藤 真也

  豊橋技術科学大学 機械工学系

• ベイ インホ

  韓国嶺南大学校

• 海江田 理

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 内田 美

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 川村 延伸

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 大石 浩司

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• ナッタウット ブッタラート

  豊橋技術科学大学

• 近藤 正樹

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学

• 海野 啓明

  仙台高等専門学校

• 李 昌勇

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系

• 秦 貴幸

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学

• 山口 利幸

  和歌山工業高等専門学校

• 夏目 諭

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 佐々木 伸一

  佐賀大学理工学部

• 佐藤 賢次

  日鉱マテリアルズ(株)

• 鈴木 篤

  豊橋技術科学大学電気電子工学部

• 李 禹鎮

  豊橋技術科学大学電気電子工学部

• 本川 和之

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 中村 正志

  日鉱マテリアルズ 戸田工場

• 佐々木 伸一

  日鉱マテリアルズ 戸田工場

• 清水 英一

  日鉱マテリアルズ 戸田工場

• 朝日 聰明

  日鉱マテリアルズ 戸田工場

• 田中 亮太

  豊橋技術科学大学

• Wu Xiaoping

  豊橋技術科学大学

• 石川 風生

  仙台電波工業高等専門学校

• 本川 和之

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 佐藤 賢次

  (株)日鉱マテリアルズ戸田工場

• 朝日 聰明

  (株)日鉱マテリアルズ戸田工場

• 土屋 健司

  豊橋技術科学大学

• ブッタラート ナッタウット

  豊橋技術科学大学

• アラン ビール

  豊橋技術科学大学

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 薫雄

  琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科

• 園田 潤

  仙台高等専門学校知能エレクトロニクス工学科

• 佐藤 源之

  東北大学東北アジア研究センター

• 青木 伸一

  豊橋技術科学大学

• 海野 啓明

  仙台電波工業高等専門学校電子制御工学科

• 横山 安弘

  釧路工業高等専門学 校

• 藤本 晶

  和歌山工業高等専門学校

• 藤盛 敏雄

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 橋詰 保

  北海道職業訓練短期大学電気工学科

• 海野 啓明

  仙台電波高専

• 横山 安弘

  釧路工業高等専門学校電子工学科

• 佐藤 源之

  東北大学 東北アジア研究センター

• 小幡 常啓

  群馬高専

• 小幡 常啓

  群馬工業高等専門学校

• 西野 元一

  長岡技術科学大学

• 橋詰 保

  釧路工業高等専門学校

• 渡辺 俊裕

  日本通信工業

• 古田 明

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 有田 誠

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 園田 潤

  仙台電波高専電子工学科

• 佐藤 源之

  東北大学

• 石川 風生

  仙台電波高専

• シン アルン

  豊橋技術科学大学

• ビール シン

  豊橋技術科学大学

• 園田 潤

  仙台高等専門学校

• 藤本 晶

  和歌山工業高等専門学校電気情報工学科

• 丹治 紀彦

  仙台高等専門学校

• 丹治 紀彦

  仙台高等専門学校専攻科電子システム工学専攻

• 園田 潤

  仙台高等専門学校 電子工学科

もっと見る 閉じる

著作論文

• 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
• ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価
• GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
• HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性
• ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• Euをイオン注入したGaNの発光特性
• Euをイオン注入したGaNの発光特性
• Euをイオン注入したGaNの発光特性
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 多層膜金属格子に励起される表面プラズモン
• 多層膜金属格子に励起される表面プラズモン(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• 多層膜金属格子に励起される表面プラズモン(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• 多層膜金属格子に励起される表面プラズモン(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• 多層膜金属格子に励起される表面プラズモン(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• 多層膜周期構造による光の共鳴散乱
• Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究
• Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究
• γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• アルカリ金属添加CuIuSe_2薄膜の構造と光学的特性
• アルカリ金属添加CuInSe_2薄膜の構造と光学的特性
• アルカリ金属添加CuInSe_2薄膜の構造と光学的特性
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 同期検波による自動C-V Plotter
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• FDTD法を用いた周期的フラクタル状多層媒質の電磁波伝搬解析
• A1_2O_3(11-20)基板上へのInNへテロエピタキシャル成長
• 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
• Al_2O_3(11-20)基板上へのInNヘテロエピタキシャル成長
• 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
• Al_2O_3(11-20)基板上へのInNヘテロエピタキシャル成長
• Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 9-209 高専-枝科大連携による技能を持った技術者の育成 : 高専専攻科と技科大の融合による一貫教育の実現へ((22)高大院連携,口頭発表論文)
• モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価
• フラクタル状多層薄膜の作製と電磁波の伝搬特性
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製
• シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
• シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
• CS-5-3 Si基板上への無転位III-V-N混晶層のヘテロエピタキシャル成長(CS-5.異種材料融合デバイス技術,シンポジウム)
• 03aB06 III-V-N混晶-シリコン構造を用いたモノリシック光電子融合システムの開発(光・電子集積回路(OEIC)時代をひらく結晶成長技術,ナノ・エピ分科会シンポジウム,第36回結晶成長国内会議)
• リモートプラズマプロセスによるSi低温エピタキシャル成長
• リモートプラズマプロセスによるSi低温エピタキシャル成長
• リモートプラズマプロセスによるSi低温エピタキシャル成長
• シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
• エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長
• CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
• エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長
• CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
• エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長
• CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
• 格子歪をうけたβ-FeSi_2のバンド構造の理論的検討
• ZnO薄膜の伝導型制御
• 格子歪をうけたβ-FeSi_2のバンド構造の理論的検討
• ZnO薄膜の伝導型制御
• ZnO薄膜の伝導型制御
• レーザーアブレーション法によるZnO薄膜の作製
• レーザーアブレーション法によるZnO薄膜の作製
• レーザーアブレーション法によるZnO薄膜の作製
• B-1-35 フラクタル構造における電磁波透過・共振現象のマイクロ波実験による検討(B-1.アンテナ・伝播A(電波伝搬,非通信利用),一般セッション)
• CI-3-5 格子整合系GaNP/Si発光デバイスを用いた光・電子集積(CI-3.シリコンフォトニクスに関わるアクティブデバイス,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
• Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作
• Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク