佐藤 真一郎 | 日本原子力研究開発機構

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概要

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• 佐藤 真一郎

  日本原子力研究開発機構

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 齋 均

  産業技術総合研究所

• 今泉 充

  宇宙航空研究開発機構

• 島崎 一紀

  宇宙航空研究開発機構

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 近藤 正樹

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 秦 貴幸

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 今泉 充

  字宙航空研究開発機構

• 近藤 道雄

  産業技術総合研究所

• 大嶋 武

  原研高崎

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 近藤 正樹

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学

• 秦 貴幸

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学

• 大島 武

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学 工学部

• 堀 史説

  大阪府大院工

• 岩瀬 彰宏

  大阪府大院工

• 大島 武

  原子力機構

• 島崎 一紀

  字宙航空研究開発機構

• 永田 光一郎

  阪府大工

• 近彦 道雄

  産業技術総合研究所

• 岡本 晃彦

  大阪府大院工

• 永田 光一郎

  大阪府大院工

• 佐藤 真一郎

  原子力機構

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著作論文

• 25pZB-4 荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコンの光伝導度変化2(放射線物理(イオン-固体相互作用・放射線損傷・核反応),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 28aSK-1 荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコンの光伝導度変化(28aSK 放射線物理(放射線損傷・電離・イオン-表面相互作用),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 23pRH-3 水素化アモルファスシリコン半導体の放射線誘起電気伝導(23pRH 放射線物理(イオンビーム照射効果・阻止能),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
• 25pRA-9 水素化アモルファスシリコン半導体の陽子線照射に伴うゼーベック係数変化(25pRA 放射線物理(固体との相互作用・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 21aEB-1 不純物ドープされた水素化アモルファスシリコン半導体のイオン照射による電気伝導度変化(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aAB-3 自己イオン照射による水素化アモルファスシリコン薄膜の電子輸送機構変化(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 24aAB-1 γ線照射還元による金ナノロッドの生成とその特性(24aAB 放射線物理(クラスター・微粒子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 19pAJ-4 イオン照射による水素化アモルファスシリコンのゼーベック係数変化(19pAJ 放射線物理(放射線損傷・放射線計測・二次電子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27pEG-1 陽子線照射による水素化アモルファスシリコン太陽電池の特性劣化と電気伝導度変化の関係(27pEG 放射線物理(放射線損傷・阻止能・二次電子放出・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

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