25pRA-9 水素化アモルファスシリコン半導体の陽子線照射に伴うゼーベック係数変化(25pRA 放射線物理(固体との相互作用・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
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概要
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- 2011-03-03
著者
-
佐藤 真一郎
日本原子力研究開発機構
-
齋 均
産業技術総合研究所
-
今泉 充
宇宙航空研究開発機構
-
島崎 一紀
宇宙航空研究開発機構
-
大島 武
日本原子力研究開発機構
-
近藤 道雄
産業技術総合研究所
-
大島 武
原子力研究開発機構
-
今泉 充
字宙航空研究開発機構
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