低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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SiCは大電力、低損失デバイス材料として期待されているが、デバイス性能に多大な影響を与える結晶欠陥を解明するには至っていない。よって結晶欠陥の評価が必要である。過去にp型4H-Sicへの深い準位の評価は数例報告されているものの、再結合中心として振る舞う深い準位についての報告はほとんどされていない。本研究では電子線照射により意図的に欠陥を導入したp型4H-SiC(0001)Si面エピタキシャル試料を用いてCurrent Deep-level Transient Spectroscopyにより価電子帯付近の深い準位の評価を行った。その結果、電子線照射によって炭素空孔や格子間原子による複合欠陥が形成され、再結合中心として振る舞う可能性があることがわかった。
- 2012-05-10
著者
-
大島 武
日本原子力研究開発機構
-
畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
-
加藤 正史
名古屋工業大学
-
市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
-
市村 正也
名工大
-
市村 正也
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
-
吉原 一輝
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
加藤 正史
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学
-
吉原 一輝
名古屋工業大学大学院 機能工学専攻
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