電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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電子線を照射したAl-doped 6H-SiCエピ膜に対して,van der pauw法を用いたホール効果測定により得られる正孔密度の温度依存性を用い,Free Carrier Concentration Spectroscopy (FCCS)法によってアクセプタと正孔卜ラップの密度及びエネルギー準位を評価した.その結果,200keV電子線照射によりAlアクセプタ密度が大きく減少することが分かった.この原因を調べる為,100keVの電子線を照射し,Al-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度と欠陥について検討した.
- 2009-11-27
著者
-
大島 武
日本原子力研究開発機構
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
-
大島 武
原子力研究開発機構
-
大嶋 武
原研高崎
-
野尻 琢慎
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
-
柳澤 英樹
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
-
明神 善子
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
-
大島 武
独立行政法人日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学
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