松浦 秀治 | 大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
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概要
関連著者
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松浦 秀治
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
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松浦 秀治
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学
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松浦 秀治
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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西川 誠二
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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西川 誠二
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
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大島 武
原子力研究開発機構
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大嶋 武
原研高崎
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大島 武
日本原子力研究開発機構
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野尻 琢慎
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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柳澤 英樹
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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西川 誠二
大阪電気通信大学工学研究科電子通信工学専攻
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岡田 亮太
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
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大島 武
原研高崎
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西野 公三
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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大島 武
独立行政法人日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
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北野谷 征吾
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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北野谷 征吾
大阪電気通信大学工学研究科電子通信工学専攻
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岡田 亮太
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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高橋 美雪
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
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小原 一徳
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
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山本 和代
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
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前田 健寿
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
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加川 義隆
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
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小野田 忍
原子力研究開発機構
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小野田 忍
日本原子力研究開発機構
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小野田 忍
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究所
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岡田 亮太
大阪電気通信大学工学研究科電子通信工学専攻
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越川 孝範
大阪電気通信大学
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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黒田 知宏
大阪電気通信大学 工学研究科 総合電子工学
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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中尾 良昭
大阪電気通信大学 工学部
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関本 安泰
大阪電気通信大学 工学部
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長谷 貴志
大阪電気通信大学工学部
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園井 量英
大阪電気通信大学工学部電子工学科
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明神 善子
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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石田 卓也
大阪電気通信大学 工学研究科 総合電子工学
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三宅 貴之
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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谷口 征大
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科
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岡田 亮太
大阪電気通信大学大学院 工学研究科 電子通信工学専攻
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西川 誠二
大阪電気通信大学大学院 工学研究科 電子通信工学専攻
-
村田 耕司
大阪電気通信大学
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森根 達也
大阪電気通信大学
著作論文
- X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線に対する高感度化(半導体材料・デバイス)
- リフレッシュ理科教室(関西支部)開催報告
- X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線の感度向上を目指した研究(シリコン関連材料の作製と評価)
- MFMIS-FET不揮発性メモリ用強誘電体薄膜の成膜と評価
- 放電電流過渡分光法によるSi上のBST薄膜のトラップ評価
- 多数キャリア密度の温度依存性を用いた新しい評価方法によるSiC中のドナー評価
- 多数キャリヤ密度の温度依存性を用いた半導体中の不純物評価法
- 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について(シリコン関連材料の作製と評価)
- 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 : ドープ量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化(シリコン関連材料の作製と評価)
- X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化 : シミュレーションによる評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 多結晶Si太陽電池用ウエハの正孔密度の温度依存性のインゴット中における場所依存
- X線検出素子(Silicon Drift Detector)用Si基板の高抵抗率化 : シミュレーションによる評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 200kev電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 放電電流過渡分光法を用いた高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価における犠牲酸化処理の効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- SiO_2/Si界面の固定電荷による影響を低減したX線検出素子の最適な構造の提案(シリコン関連材料の作製と評価)
- 放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- SiO_2/Si界面の固定電荷による影響を低減したX線検出素子の最適な構造の提案
- 放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価
- 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化(シリコン関連材料の作製と評価)