MFMIS-FET不揮発性メモリ用強誘電体薄膜の成膜と評価

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概要

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• MFMIS(Metal-Ferroelecuic-Metal-Insulator-Semiconductor)-FET型不揮発性メモリでは印加電圧が強誘電体層と絶縁層に分配されるため,強誘電体層に電圧を充分印加させるためには誘電率の低い強誘電体材料を用いる必要がある.そこで低誘電率強誘電体材料Sr_2Nb_2O_7に着目した.本研究ではSr_2Nb_2O_7薄膜を成膜するにあたり,出発原料として金属カルボン酸溶液を用いた.金属カルボン酸溶液は化学的に安定なため,長期間保存することが容易である.M0D(Metal-Oxide-Semiconductor)法を用いてPt/SiO_2/Si基板上に成膜した結果,b軸配向のSr_2 Nb_2O_7の多結晶が成膜した.次に,漏れ電流と強誘電体薄膜中の浅い準位に存在するトラップが関係していると考えられるため,DCTS(Discharge current transient spectroscopy)法を用いてSr_2Nb_2O_7薄膜中のトラップ密度と放出割合を評価した.その結果,Sr_2Nb_2O_7薄膜中に3種類の異なるトラップの存在を確認した.現在,漏れ電流にこれらのトラップが及ぼす影響は検討中である.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-12-13

著者

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学工学部電気電子工学科

• 中尾 良昭

  大阪電気通信大学 工学部

• 関本 安泰

  大阪電気通信大学 工学部

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学

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