X線検出素子(Silicon Drift Detector)用Si基板の高抵抗率化 : シミュレーションによる評価(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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環境問題の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられている.有害物質検査の短時開化を計るために,可搬できる蛍光X線検出器が望まれている.しかし,動作時にX線検出素子を液体窒素温度まで冷却するため冷却装置が必要であり,蛍光X線分析装置が大型化する.現在は,室温付近(ペルチェ冷却)で動作するX線検出素子として,Si基板を用いたSilicon Drift Detector (SDD)が市販されているが,歩留まりが悪いため高価であり,さらにCdの蛍光X線(23.5 keV)の吸収率は約15%しかない.SDDを簡素化させ,MOSFETを含まないリング本数3本の構造に対する研究を行った.今回は基板の高抵抗率化を行い,Cdの蛍光X線の吸収を高めるためにSi基板を厚くした際の問題点を解消する方法を検証する.
- 2010-12-10
著者
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松浦 秀治
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
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北野谷 征吾
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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北野谷 征吾
大阪電気通信大学工学研究科電子通信工学専攻
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西川 誠二
大阪電気通信大学工学研究科電子通信工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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西川 誠二
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
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西川 誠二
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学
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