光CVD法による窒化シリコン膜のシリコンとの界面特性改善と膜中トラップの評価方法
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概要
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光CVD法を用いて良質なSiN_x膜が低温で作製されているが、シリコンとの界面特性をさらに改善する必要がある。SiH_4とNH_3の混合ガス中で、Hgランプ光照射で生成される生成種(Si_xH_y種、N_xH_y種とSi_xN_yH_z種)と界面特性の関係を詳細に調べ、界面特性を劣化させる生成種がSi_xH_y種とN_xH_y種であることを見いだした。これらの生成種を減らす堆積条件で、良好な界面特性を得た。また、SiN_x膜中のトラップ密度及びエネルギー分布を評価する新しい方法を開発し、この方法で見積ってトラップ密度と低電界での漏れ電流に関係があることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-25
著者
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科
-
松浦 秀治
京都大学工学部電気工学科
-
吉本 昌広
京都大学工学部電気工学科
-
吉本 昌宏
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
吉本 昌広
京都工芸繊維大学大学院 電子システム工学部門
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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