p型不純物イオン注入による4H-SiC高耐圧pn接合ダイオード(<特集>ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
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概要
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4H-SiC(0001)面への高ドーズAlイオン注入により低抵抗p型領域を形成し,Al若しくはBイオン注入によりプレーナ型pn接合ダイオードを試作,評価した.Alイオン注入では高温注入,高温アニールを行うことで,シート抵抗値の最小値として3.6kΩ/□(p型)を得た.Alイオンを高温注入することで表面p^+層を形成し,高エネルギーBイオンを室温注入することでp層を形成したプレーナ型pn接合ダイオードでは,良好な整流性を確認した.2900Vの高耐圧(理論耐圧の90%)と8.0mΩ<cm>^2の低いオン抵抗を得るとともに,耐圧が正の温度係数をもつアバランシ破壊特性を確認した.これまで報告のなかった4H-SiC(112^^-0)面pn接合ダイオードを作製し,1850V(理論耐圧の70%)の高耐圧特性を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-01
著者
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
根来 佑樹
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科
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