4H-SiC RESURF MOSFETにおける最適ドーズ設計(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

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概要

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次世代パワーデバイス用半導体として期待されているSiCを用いたRESURF MOSFETにおけるドーズ設計について調べた。ドーズ設計の最適化はデバイスシミュレーションおよびデバイス作製によって行った。その結果、SiC/SiO_2界面に存在する負の固定電荷が耐圧に大きな影響を与えることが明らかになった。また、耐圧はLDD(Lightly-Doped Drain)ドーズに強く依存することが明らかになった。本研究で作製したRESURF MOSFETは耐圧1080V、ゲート酸化膜電界が3MV/cmのときのオン抵抗が79mΩcm^2と優れた特性を示した。この特性はこれまでに報告されているSiC横型MOSFETとしては最高の特性である。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-12-09

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