分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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概要
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本研究室ではこれまで、SiC基板のステップ高さ制御、AlN層成長直前のGa先行照射を行い、窒素プラズマ点灯と同時に成長を開始することで、成長開始直後からのAlNのlayer-by-layer成長と貫通転位密度の低減を実現した。そこで、本研究ではこの高品質AlN成長プロセスを応用して、SiC基板上にAlN/GaN短周期超格子(SPSL)構造の成長を試みたSPSL層中のAlN層とGaN層の膜厚はそれぞれ12bilayer(BL)、2BLとしたAlN/GaN SPSL層のXRC半値幅は、(0002)面が34.2秒、(10-12)面が37.9秒と非常に優れた値であった。逆格子マッピング測定を行ったところ、AlN/GaN SPSL層がSiC基板に対してコヒーレントに成長していることが確認された。格子緩和していないために高品質の結晶が得られたと考えている。
- 2011-11-10
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