SiCパワーデバイス研究開発の現状と将来展望(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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概要
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シリコンカーバイド(SiC)の結晶成長技術の進展により、実用的な電子デバイスの研究開発が加速している。中でも最も期待されているのは、電力変換用の高耐圧低損失のパワーデバイスの実現である。600V系のショツトキーダイオードは実用化が進められ、次はパワーMOSFETなどのSiCトランジスタの開発が期待されている。さらに将来の超高耐圧(>3kV)の応用には、PiNダイオードやサイリスタ、IGBTなどのバイポーラデバイスが有望視されている。しかしながら、結晶欠陥の抑制と制御、イオン注入による局所的ドーピング、高品質MOS界面の形成、低抵抗電極形成などの開発課題も多く、その基本物理現象の理解も不十分な点が多い。本論文では、SiC単結晶成長、物性制御、およびプロセス技術の現状について、著者のグループの結果を中心に紹介した後、SiCパワーデバイス開発の現状と将来展望について概説する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-24
著者
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