超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化(シリコン関連材料の作製と評価)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
超高耐圧SiCバイポーラデバイス実現には、接合終端構造の設計が重要になる。本研究では、当グループが提案した空間変調型Junction Termination Extension (JTE)構造をデバイスシミュレーションにより設計し、厚さ186 μm、ドーピング密度2〜3×1014 cm^-3であるn型SiCの耐圧維持層を用いて、広い範囲のJTEドーズ量で超高耐圧(>17 kV)のSiC PiNダイオードを実現した。また、熱酸化によるキャリア寿命向上プロセスにより、耐圧維持層のキャリア寿命が1.07 μsから19.4 μsに増大し、電流密度100 A/cm^2、150℃において、順方向オン電圧、オン抵抗がそれぞれ5.40 V、17.8 mΩcm^2となり、熱酸化を行わなかったPiNダイオードと比較して大幅に改善することを示した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-11-30
著者
関連論文
- 多形を有する半導体SiC単結晶のステップ制御エピタキシ-
- 光電気化学エッチングにより作製した静電駆動単結晶SiCブリッジ構造
- 4H-SiC RESURF MOSFETにおける最適ドーズ設計(シリコン関連材料の作製と評価)
- 界面制御によるSiC基板上AlN成長層の高品質化および新規面方位SiC上へのAlNの成長(AlN結晶成長シンポジウム)
- p型不純物イオン注入による4H-SiC高耐圧pn接合ダイオード(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- パワーデバイス用SiCのエピタキシャル成長技術の進展(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SiC半導体の結晶成長と素子技術の現状と展望
- Sic エピタキシャル結晶の表面ステップ構造
- 多数キャリア密度の温度依存性を用いた新しい評価方法によるSiC中のドナー評価
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- 傾斜メサ構造とJTE領域を有する10kV SiC PiNダイオード(シリコン関連材料の作製と評価)
- シリコン微小電子源のイオンビーム空間電荷中和への応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 半球形阻止電界型エネルギー分析器を用いたシリコン電界放出電子源のエネルギー分析
- ホール効果測定による極薄SOIにおけるキャリア散乱要因の検討(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ホール効果測定による極薄SOIにおけるキャリア散乱要因の検討(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 水素ガス導入下におけるSi:C電界放出電子源の経時変化の測定
- シリコンを超える省エネルギー・パワーデバイス用半導体材料(創立110周年記念 活躍する材料-未来を拓く材料技術の最前線-)
- SiCプロセス技術
- SiCパワーデバイス研究開発の現状と将来展望(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- SiCパワーデバイス研究開発の現状と将来展望(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気伝導特性(シリコン関連材料の作製と評価)
- エピタキシャル成長SiCのパワーデバイスへの応用
- 01aB09 4H-SiC(112^^-0)基板に成長した低転位密度無極性面4H-AlN(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- 有機金属分子線エピタキシー法による立方晶窒化ガリウムの結晶成長
- MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長
- MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長
- SiC単結晶成長の最近の進展 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 立体ゲート構造を用いたSiC MOSFETの特性向上(シリコン関連材料の作製と評価)
- 18aA06 MOMBEによるサファイア(0001)上への立方晶・六方晶GaNのエピタキシャル成長(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- 分子線エピタキシーによるZrB_2基板上GaNのヘテロエピタキシャル成長
- III族窒化物/SiCヘテロ界面を用いたワイドギャップ半導体デバイス
- MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めたSiナノワイヤのバンドギャップ(シリコン関連材料の作製と評価)
- 高耐圧パワーデバイス応用を目指したSiCのエピタキシャル成長と欠陥制御
- 高効率電力変換用SiCパワーデバイス
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- CT-2-3 SiCパワーデバイス技術(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現(シリコン関連材料の作製と評価)
- 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化 (シリコン材料・デバイス)
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構
- 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構
- 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化(シリコン関連材料の作製と評価)
- AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 炭化ケイ素を用いた超高耐圧バイポーラトランジスタの開発