界面制御によるSiC基板上AlN成長層の高品質化および新規面方位SiC上へのAlNの成長(AlN結晶成長シンポジウム)
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概要
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Heteroepitaxial growth of AlN on hexagonal SiC by molecular-beam epitaxy was studied. High-quality AlN was successfully grown on SiC (0001) substrate by interface modification, i.e., by control both SiC surface condition and initial growth sequence. Growth of AlN on novel (11-20) SiC substrate was also investigated. Impact of substrate polytype on quality of AlN grown layer is discussed.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
著者
-
須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
須田 淳
科学技術事業団さきがけ研究21
-
小野島 紀夫
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
小野島 紀夫
NICT
-
小野島 紀夫
情報通信研究機構
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科
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