SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
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概要
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SiCを用いてRESURF MOSFETを設計、作製した結果を述べる。RESURF(REduced SURface Field)構造は、回路の集積化に有効な横型デバイスの高耐圧化を図る上で重要な構造である。シミュレーションによって電界分布の解析とデバイス構造の最適化を行った。続いて、SiC RESURF MOSFETを作製・評価し、6H-SiC(0001)上のデバイスで、最高耐圧700V、オン抵抗1.08Ωcm^2を得た。また4H-SiC(112^^-0)面や(033^^-8)面についても同様に評価を行った結果から、面方位の選択とパワーデバイスへの応用について考察する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-12-13
著者
-
須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
小杉 肇
京都大学工学研究科電子工学
-
平尾 太一
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
-
矢野 裕司
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
-
矢野 裕司
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学工学研究科
-
平尾 太一
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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