矢野 裕司 | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻

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• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 矢野 裕司

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• 松波 弘之

  京都大学工学部電気電子工学教室

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• 木本 恒暢

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  京都大学工学研究科電子物性工学専攻

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著作論文

• SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
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• 高純度SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
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• 高反転層チャネル移動度を有するプレーナ型4H-SiC MOSFETs (特集 ハードエレクトロニクス--超低損失パワーデバイス技術) -- (MOSデバイスプロセス)
• エピタキシャル成長SiCのパワーデバイスへの応用

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