高純度SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
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概要
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CVD法による高純度4H-、6H-SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用に関する最近の進展を紹介する。エピタキシャル成長では、30μm以上の高純度・高品質SiC層の形成に成功した。成長層はフォトルミネセンスで強い自由励起子発光を示し、無添加時の残留キャリヤ密度が1〜3×10^<14>cm^<-3>、深い準位の密度が2〜4×10^<12>cm^<-3>と低いことが分かった。この成長層を用いて耐圧4200Vのpinダイオードを作製した。反転型SiC MOSFETのチャネル移動度の抑制要因について考察した後、(1120)面を用いることで100cm^2 / Vs程度の高いチャネル移動度が得られることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-11
著者
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
田村 聡之
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
矢野 裕司
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
-
宮本 直
京都大学
-
矢野 裕司
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
宮本 直
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
藤平 景子
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
大本 恒暢
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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