酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
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概要
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マイクロ波プラズマを用いて励起した酸素活性種を用いて、Si基板表面を直接酸化することにより、ナノメータオーダーの極薄SiO_2膜を300〜600℃の低温で形成し、電気的特性を評価した。酸化直後のオゾンアニールにより界面準位密度、固定電荷密度が低減されていることが確認できた。また、形成した酸化膜をMOSFETのゲート絶縁膜に応用し、良好な動作を確認した。その動作特性から、SiO_2/Si界面でのキャリア散乱機構について考察した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-21
著者
-
木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
金廣 正彦
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学工学研究科
-
金廣 正彦
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
-
植田 康之
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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