植田 康之 | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻

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概要

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関連著者

• 松波 弘之

  京都大学工学部電気電子工学教室

• 松波 弘之

  京都大学工学部

• 植田 康之

  京都大学工学研究科電子物性工学専攻

• 松波 弘之

  京都大学工学研究科

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大学

• 松波 弘之

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 松波 弘之

  京大工

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大

• 森泉 和也

  京都大学工学研究科電子物性工学専攻

• 木本 恒暢

  京都大学工学部電気電子工学科

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 木本 恒暢

  京都大学工学研究科

• 佐原 隆介

  京都大学工学研究科 電子物性工学専攻

• 金廣 正彦

  京都大学工学研究科電子物性工学専攻

• 金廣 正彦

  京都大学工学研究科 電子物性工学専攻

• 二山 拓也

  京都大学工学研究科電子物性工学専攻

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著作論文

• 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
• ED2000-49 / SDM2000-49 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
• 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
• 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
• 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
• 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成と過渡放電電流法による膜内電子トラップの解析
• 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成と過度放電電流法による膜内電子トラップの解析
• 酸素活性種によるシリコン極薄ゲート酸化膜の低温形成とMOSFETへの応用
• ECRリモートプラズマ法を用いた極薄SiO_2膜の低温形成

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