酸素活性種によるシリコン極薄ゲート酸化膜の低温形成とMOSFETへの応用
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概要
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ECRリモートプラズマ法を用いて、ナノメータオーダーの極薄SiO_2膜を500℃以下の低温で形成した。膜形成速度の温度依存性から、リモートプラズマ法が低温プロセスとして有力であることを示す。低温で形成されたSiO_2膜の電気的特性を電流一電圧測定ならびに高周波容量一電圧測定により評価した。また試料表面処理方法として保護酸化膜形成、酸化後の処理として高速熱処理などプロセスの改良を行い、このプロセスが界面特性および作製したMOSFETの動作特性に与える効果について議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-23
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
松波 弘之
京大工
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
森泉 和也
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
植田 康之
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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