Ga_2O3-In_2O_3-ZnO(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
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概要
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我々は、DCストレス下におけるGa_2O_3-In_2O_3-ZnO (GIZO)薄膜トランジスタの劣化について調査した。正のゲートバイアスストレスにおいて、しきい値電圧はゲート電圧とゲートサイズに依存して顕著にシフトする。しかし、S値および電界効果移動度に変化は見られなかった。発熱解析の結果、ドレイン電流によるジュール発熱が観測された。注目すべきは、このモードがドレイン電圧およびドレイン電流によって影響を受けない点である。さらにこの劣化は、ストレス終了後に熱処理や電気的ストレス無しで回復した。これらの結果から、酸化物半導体特有の広いバンドギャップ中で、浅い準位のトラップが生成されているためと考えた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-04-11
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
畑山 智亮
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
藤井 茉美
奈良先端科学技術大学院大学
-
Jung Ji
サムスン綜合技術院
-
Kwon Jang
サムスン綜合技術院
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
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