シリコン太陽電池用SiN_xパッシベーション膜におけるNH_3プラズマ界面改質効果(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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Si太陽電池の高効率化に際し、高品質な表面パッシベーション技術の開発とその評価は必要不可欠なものとなっている。本研究では、Si表面にNH_3プラズマ処理を施し、その後プラズマCVDを用いてSiN_x膜を堆積させパッシベーションを行った。その結果、NH_3プラズマ処理を施していないものに比べて、大福な実効キャリアライフタイムの改善が見られた。堆積後、さらにアニール処理を行いパッシベーション膜がどの程度の熱に耐えられるのかを調べた。また、NH_3プラズマ処理を用いて太陽電池作製プロセスの低温化について検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-12-07
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
岸山 友紀
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)物質創成科学研究科
-
高橋 優
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)物質創成科学研究科
-
大鐘 章義
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)物質創成科学研究科
-
Kitiyanan Athapol
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)物質創成科学研究科
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
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